Горячие Новости

В 2018 году в продажу поступит оперативная память нового поколения

В 2018 году в продажу поступит оперативная память нового поколения

Специалисты из Японии и Соединенных Штатов объявили о том, что начинают широкомасштабные разработки нового поколения оперативной памяти. Вместо современной DRAM (динамической памяти с произвольным доступом), которая сейчас повсеместно используется в смартфонах и современных компьютерах, светила науки предложили использовать MRAM (магниторезистивную память с произвольным доступом). Свои усилия в рамках данного революционного проекта объединили свыше двадцати компаний, в числе которых есть такие флагманы, как Shin-Etsu Chemical, Tokyo Electron, Hitachi, Renesas Electronics и даже американский гигант Micron Technology. Об этом сообщают эксперты раздела "Hi-tech" издания для инвесторов "Биржевой лидер".

Как рассказывают ученые, новый тип памяти позволит в десятки раз увеличить производительность цифровых устройств, снизив при этом их энергопотребление. Если объяснить доступным языком, то разница между MRAM и DRAM состоит в различающихся способах хранения информации. Если в DRAM для этого используются электрические заряды, то в MRAM информация хранится при помощи магнитных моментов, для поддержания которых требуется куда меньше энергии. Это в значительной степени упрощает работу со стабилизаторами и проводниками.

Определенные разработки в данной области будут вестись при использовании интеллектуального капитала десятков ученых из Университета Тохоку в Японии. Стоять во главе исследователей будет профессор Тетсуо Эндо. Полномасштабная работа над этим проектом будет начата в феврале следующего года. Впрочем, массовый выпуск устройств на базе MRAM обещают наладить не раньше 2018 года.

Данной разработкой заинтересовались и другие ученые

Важно также отметить, что специалисты Университета Тохоку не являются единственными, кто занимается этой перспективной разработкой. В самом ближайшем будущем компания Everspin Technologies обещает начать выпуск MRAM памяти, а инженеры компании Buffalo обещают уже в 2015 году выпустить первый SSD с ST-MRAM-буфером.

Что примечательно, работа над технологиями магниторезистивной памяти началась еще в 1990-х годах. Основным преимуществом данного типа ЗУ является их энергонезависимость. Сторонники технологии убеждены, что в будущем MRAM станет единым стандартом памяти компьютера.

Напомним, эксперты прогнозируют гегемонию SSD-накопителей в ближайшие 10 лет.

Автор:
Мнение автора может не совпадать с мнением редакции. Если у Вас иное мнение напишите его в комментариях.
Возник вопрос по теме статьи - Задать вопрос »
comments powered by HyperComments
« Предыдущая новость «  » Архив категории «   » Следующая новость »

Почитать на эту же тему

Рекомендованный брокер №1

Журнал «Биржевой лидер»

Журнал, интересные статьи

Видео

Энциклопедия

Порнофильм
Порнофильм
Renault Fluence
Renault Fluence
O’zmarkazimpeks
O’zmarkazimpeks
20 февраля
20 февраля
Агентство недвижимости Gordon Rock
Агентство недвижимости Gordon Rock
Turoperatory_Kazahstana
Туроператоры Казахстана