Горячие Новости

В 2018 году в продажу поступит оперативная память нового поколения

В 2018 году в продажу поступит оперативная память нового поколения

Специалисты из Японии и Соединенных Штатов объявили о том, что начинают широкомасштабные разработки нового поколения оперативной памяти. Вместо современной DRAM (динамической памяти с произвольным доступом), которая сейчас повсеместно используется в смартфонах и современных компьютерах, светила науки предложили использовать MRAM (магниторезистивную память с произвольным доступом). Свои усилия в рамках данного революционного проекта объединили свыше двадцати компаний, в числе которых есть такие флагманы, как Shin-Etsu Chemical, Tokyo Electron, Hitachi, Renesas Electronics и даже американский гигант Micron Technology. Об этом сообщают эксперты раздела "Hi-tech" издания для инвесторов "Биржевой лидер".

Как рассказывают ученые, новый тип памяти позволит в десятки раз увеличить производительность цифровых устройств, снизив при этом их энергопотребление. Если объяснить доступным языком, то разница между MRAM и DRAM состоит в различающихся способах хранения информации. Если в DRAM для этого используются электрические заряды, то в MRAM информация хранится при помощи магнитных моментов, для поддержания которых требуется куда меньше энергии. Это в значительной степени упрощает работу со стабилизаторами и проводниками.

Определенные разработки в данной области будут вестись при использовании интеллектуального капитала десятков ученых из Университета Тохоку в Японии. Стоять во главе исследователей будет профессор Тетсуо Эндо. Полномасштабная работа над этим проектом будет начата в феврале следующего года. Впрочем, массовый выпуск устройств на базе MRAM обещают наладить не раньше 2018 года.

Данной разработкой заинтересовались и другие ученые

Важно также отметить, что специалисты Университета Тохоку не являются единственными, кто занимается этой перспективной разработкой. В самом ближайшем будущем компания Everspin Technologies обещает начать выпуск MRAM памяти, а инженеры компании Buffalo обещают уже в 2015 году выпустить первый SSD с ST-MRAM-буфером.

Что примечательно, работа над технологиями магниторезистивной памяти началась еще в 1990-х годах. Основным преимуществом данного типа ЗУ является их энергонезависимость. Сторонники технологии убеждены, что в будущем MRAM станет единым стандартом памяти компьютера.

Напомним, эксперты прогнозируют гегемонию SSD-накопителей в ближайшие 10 лет.

Автор:
Мнение автора может не совпадать с мнением редакции. Если у Вас иное мнение напишите его в комментариях.
Возник вопрос по теме статьи - Задать вопрос »
comments powered by HyperComments
« Предыдущая новость «  » Архив категории «   » Следующая новость »

Почитать на эту же тему

Рекомендованный брокер №1

Журнал «Биржевой лидер»

Журнал, интересные статьи

Видео

Энциклопедия

19 января
19 января
Twitter
Twitter (Твиттер)
Писанка Руслана Игоревна
Писанка Руслана Игоревна
Чемпионат России по футболу
Чемпионат России по футболу
Виктор Ющенко
Ющенко Виктор Андреевич
Богатырева Раиса Васильевна
Богатырева Раиса Васильевна